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电子元器件详细资料 » IC[29230] » STV200N55F3
型号:STV200N55F3类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
系列STripFET™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C200A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.5 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs100nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6800pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商设备封装PowerSO-10
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市世品佳电子9号彩票销售部0755-/83200833/83218466
深圳市华斯顿科技9号彩票销售部1部0755-83777607/83777708/82799993
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